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Parte No BC847PN-7-F
Produttore Diodes Incorporated
Catalogo Transistors (BJT) - Arrays
Descrizione TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Diodes Incorporated
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità del transistor NPN, PNP
Corrente massima collettore 100mA
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 45V
Vce (sat) max 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Corrente di interdizione collettore (max) 15nA (ICBO)
Guadagno tipico (hFE) (min) 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Dissipazione di potenza massima 200mW
Frequenza - Transizione 300MHz, 200MHz
Intervallo di temperatura - Esercizio -65°C to 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SOT-363
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 011128-BC847PN-7-F
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 28 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modelli ECAD Contact us to download
Scheda dati sulla sicurezza dei materiali (MSDS) Get Access
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BC847PN-7-F Modello CAD

Descrizione

The BC847PN-7-F is a high-quality bipolar (BJT) transistor product from Diodes Incorporated, known for its reliability and efficiency in various electronic applications. This small-signal transistor is a versatile component designed for use in general-purpose amplification and switching applications.

Key Features:

  • Type: NPN/PNP Bipolar Transistor (BJT)
  • Package: SOT-363, a compact surface-mount package that is suitable for automated assembly processes and space-constrained applications.
  • Configuration: Dual, with one NPN and one PNP transistor in a single package, offering design flexibility and saving board space.
  • Collector-Emitter Voltage (VCEO): 45V for NPN and PNP, providing a good voltage rating for a range of applications.
  • Collector Current (IC): Up to 100mA, allowing for sufficient current handling capability for small-signal tasks.
  • DC Current Gain (hFE): High hFE at 200-400 for the NPN and 160-320 for the PNP, ensuring excellent current amplification.
  • Transition Frequency (fT): 100MHz for NPN and 250MHz for PNP, enabling fast switching and amplification in high-frequency circuits.
  • Power Dissipation (Pd): 250mW, providing a good balance between power handling and compactness.
  • RoHS Compliant: Yes, ensuring environmental and regulatory compliance for global use.

Applications:

The BC847PN-7-F transistor is suitable for a wide range of applications, including but not limited to:

  • General-purpose switching and amplification
  • Audio amplifiers
  • Signal processing
  • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits
  • Control systems
  • Portable and consumer electronics

Quality and Reliability:

Diodes Incorporated is committed to providing high-quality and reliable components. The BC847PN-7-F is built to stringent quality control standards, ensuring consistent performance and durability for professional, industrial, and hobbyist applications alike.

Overall, the BC847PN-7-F from Diodes Incorporated is a versatile and reliable choice for designers and engineers looking for a dual NPN/PNP transistor solution that combines performance with compact packaging.

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Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
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2,280+ $0.0439 $100.0920
3,540+ $0.0424 $150.0960
5,065+ $0.0395 $200.0675
6,580+ $0.0380 $250.0400
8,220+ $0.0365 $300.0300
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