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BFS17S H6327

Parte No BFS17S H6327
Produttore Infineon Technologies
Catalogo RF Transistors (BJT)
Descrizione TRANS RF NPN 15V 25MA SOT363
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità del transistor 2 NPN (Dual)
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 15V
Frequenza - Transizione 1.4GHz
Cifra di rumore (dB tip. a f) 3dB to 5dB @ 800MHz
Dissipazione di potenza massima 280mW
Guadagno tipico (hFE) (min) 40 @ 2mA, 1V
Corrente massima collettore 25mA
Intervallo di temperatura - Esercizio 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro PG-SOT363-6
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 039639-BFS17S H6327
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 52 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BFS17S H6327 Modello CAD

Descrizione

BFS17S H6327 - SMD Medium Power NPN Transistor

The BFS17S H6327 is a surface-mount medium power NPN transistor, designed to provide efficient solutions for amplification needs in compact applications.

  • Features and Benefits:
    • Medium power handling capabilities.
    • Compact SMD package for space-saving designs.
    • Excellent thermal and electrical characteristics.
  • Applications:
    • Medium power amplification circuits.
    • High-frequency inverter circuits.
    • Power management systems.
  • Additional Details:
    • Maximum Collector Current: 100 mA.
    • Maximum Collector-Emitter Voltage: 45 V.
    • Package Type: SOT-23.

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Disponibilità: Verifica disponibilità & Preventivo
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