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BC847QASZ

Parte No BC847QASZ
Produttore Nexperia USA Inc.
Catalogo Transistors (BJT) - Arrays
Descrizione TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6 / Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Scheda tecnica
BC847QASZ Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categoria Discrete Semiconductor Products>Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Costruttore Nexperia USA Inc.
Imballaggio Reel - TR
Tipo di transistor 2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (max) 100mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Interdizione collettore (max) 15nA (ICBO)
Guadagno in corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 350mW
Frequenza - Transizione 100MHz
Intervallo di temperatura - Esercizio 150°C (TJ)
Montaggio Surface Mount
Contenitore/involucro 6-XFDFN Exposed Pad
Package del produttore DFN1010B-6
Codice articolo di base BC847
Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello MSL 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075
Altro codice articolo 568-12527-2,1727-2244-6,568-12527-6,568-12527-2-ND,568-12527-1-ND,1727-2244-2,934068722147,1727-2244-1,568-12527-6-ND,568-12527-1
Confezione standard 5,000
Codice Articolo Win Source 1325638-BC847QASZ
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 84
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BC847QASZ Modello CAD

Descrizione

The BC847QASZ is a dual NPN bipolar transistor array manufactured by Nexperia USA Inc.

  • Maximum Power: 350mW
  • Voltage Collector Emitter Breakdown: 45V
  • DC Current Gain: 200 @ 2mA and 5V
  • Frequency Transition: 100MHz
  • Package: DFN1010B-6
  • Temperature Range: 150°C (TJ)

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Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
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6,250+ $0.0185 $115.6250
9,680+ $0.0179 $173.2720
13,335+ $0.0173 $230.6955
17,245+ $0.0168 $289.7160
23,080+ $0.0150 $346.2000
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