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Parte No DTC143ZET1G
Produttore ON Semiconductor
Catalogo Transistors (BJT) - Single, Pre - Biased
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore ON Semiconductor
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità del transistor NPN - Pre-Biased
Corrente massima collettore 100mA
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistore - Base emettitore (R2) (Ohm) 47k
Guadagno tipico (hFE) (min) 80 @ 5mA, 10V
Vce (sat) max 250mV @ 1mA, 10mA
Corrente di interdizione collettore (max) 500nA
Dissipazione di potenza massima 200mW
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SC-75, SOT-416
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 015045-DTC143ZET1G
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 32 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modelli ECAD Contact us to download
Scheda dati sulla sicurezza dei materiali (MSDS) Get Access
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian DTC143ZET1G Modello CAD

Descrizione

ON Semiconductor DTC143ZET1G Digital Transistor

The DTC143ZET1G from ON Semiconductor is a high-performance NPN bipolar digital transistor, also known as a pre-biased or bias-resistor transistor (BRT), which integrates a single transistor and a resistor in a small package. This product is designed to streamline circuit design by reducing component count while offering a reliable solution for digital switching applications.

Key Features

  • Integrated Resistor: The device includes a built-in bias resistor, which simplifies circuit design and reduces board space requirements.
  • Surface-Mount Package: It comes in a compact SOT-23 (TO-236) surface-mount package, making it suitable for high-density PCB assemblies.
  • Low VCE(sat): Offers low collector-emitter saturation voltage, enhancing overall efficiency and reducing power losses during operation.
  • High Current Gain: The transistor provides a high current gain (hFE), ensuring reliable operation even at low input currents.
  • Complementary PNP Type: The complementary PNP type is available, enabling the use of push-pull configurations for more complex designs.

Applications

  • Inverter circuits
  • Interface circuits
  • Driver circuits
  • Signal processing
  • Power management

Technical Specifications

  • Configuration: Single
  • Collector- Base Voltage (VCB): 50V
  • Collector-Emitter Voltage (VCE): 50V
  • Emitter-Base Voltage (VEB): 5V
  • Continuous Collector Current (IC): 100mA
  • Power Dissipation (PD): 225mW
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

The DTC143ZET1G is a versatile component that simplifies the design process for engineers by integrating the biasing components required for the transistor to operate. Its compact size, efficiency, and ease of use make it an excellent choice for a wide range of digital switching applications. ON Semiconductor's commitment to quality ensures that this digital transistor will provide reliable performance in your electronic designs.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
710+ $0.0708 $50.2680
1,510+ $0.0663 $100.1130
2,345+ $0.0641 $150.3145
3,360+ $0.0596 $200.2560
4,360+ $0.0574 $250.2640
5,445+ $0.0551 $300.0195
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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MOQ: 710 pz
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