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SMUN5311DW1T1G

Parte No SMUN5311DW1T1G
Produttore ON Semiconductor
Catalogo Transistors (BJT) - Arrays, Pre - Biased
Descrizione Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R / TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore ON Semiconductor
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità del transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente massima collettore 100mA
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistore - Base emettitore (R2) (Ohm) 10k
Guadagno tipico (hFE) (min) 35 @ 5mA, 10V
Vce (sat) max 250mV @ 300μA, 10mA
Corrente di interdizione collettore (max) 500nA
Dissipazione di potenza massima 250mW
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SC-88/SC70-6/SOT-363
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 115073-SMUN5311DW1T1G
Parte di uso comune? Yes
Popolarità High
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 62 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Nome famiglia SMUN5311DW1
Data di introduzione December 02, 1997
ECCN EAR99
Paese di origine China
Senza alogeni Compliant
Data EOL stimata 2029
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian SMUN5311DW1T1G Modello CAD

Descrizione

ON Semiconductor SMUN5311DW1T1G - Dual PNP Transistor

The SMUN5311DW1T1G is a high-performance dual PNP transistor designed and manufactured by ON Semiconductor, a leading name in the semiconductor industry. This device is engineered to offer excellent current gain and saturation voltage, making it an ideal choice for a wide range of applications, including signal processing, power management, and amplification circuits. Its compact surface-mount package allows for efficient use of PCB space, which is critical in modern electronic designs.

Key Features:

  • Transistor Type: Dual PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
  • Configuration: Dual
  • Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
  • Collector-Base Voltage (VCBO): -60V
  • Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
  • Collector Current (IC): -100mA
  • DC Current Gain (hFE): 120 at 10mA, -5V
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Operating and Storage Junction Temperature Range: -55°C to +150°C

Package and Quality:

The SMUN5311DW1T1G comes in a compact SOT-363 package, which is also known as SC-88 or SC70-6. This small and thin profile package is ideal for applications where space-saving is a priority. The device is provided in tape and reel packaging, facilitating automated assembly processes and ensuring safe delivery and handling.

Applications:

With its dual PNP transistor design, the SMUN5311DW1T1G is suitable for a variety of electronic applications. It is commonly used in power management solutions, such as voltage regulators and switches, as well as in signal processing tasks, including amplification, buffering, and filtering. Its reliability and efficiency also make it a preferred choice for consumer electronics, portable devices, and industrial control systems.

Quality and Reliability:

ON Semiconductor is committed to delivering high-quality and reliable components. The SMUN5311DW1T1G is no exception and is manufactured under strict quality control standards. It is designed to meet or exceed the requirements of the electronic industry, ensuring performance and reliability in even the most demanding applications.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
110+ $0.4717 $51.8870
230+ $0.4418 $101.6140
355+ $0.4269 $151.5495
505+ $0.3971 $200.5355
655+ $0.3821 $250.2755
820+ $0.3672 $301.1040
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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