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Parte No 2SCR502EBTL
Produttore Rohm Semiconductor
Catalogo RF Transistors (BJT)
Descrizione TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F / Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 360MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categoria Discrete Semiconductor Products>Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Costruttore Rohm Semiconductor
Imballaggio Tape & Reel
Tipo di transistor NPN
Corrente - Collettore (Ic) (max) 500 mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Interdizione collettore (max) 200nA (ICBO)
Guadagno in corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Potenza - Max 150 mW
Frequenza - Transizione 360MHz
Intervallo di temperatura - Esercizio 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SC-89, SOT-490
Package del produttore EMT3F (SOT-416FL)
Codice articolo di base 2SCR502
Livello MSL 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075
Altri nomi 2SCR502EBTLTR,2SCR502EBTLCT,2SCR502EBTLDKR
Confezione standard 3,000
Codice Articolo Win Source 1037069-2SCR502EBTL
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 83 pct.
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian 2SCR502EBTL Modello CAD

Descrizione

Overview

The 2SCR502EBTL from Rohm Semiconductor is an RF bipolar junction transistor (BJT) designed for high-frequency small-signal amplification and switching. As an RF transistor, it is typically used in the front end of communication circuits, low-power RF stages, local oscillators, and wideband amplifiers where low noise, reasonable gain, and stable performance over frequency are important. It is supplied in a compact surface-mount package, making it suitable for dense PCBs and portable equipment. Typical operation is at low to medium voltages and currents, consistent with RF and general small-signal use in consumer, industrial, and communication systems. For exact ratings such as VCEO, IC, transition frequency (fT), and gain (hFE), the Rohm datasheet should be consulted before design-in.

Applications

  • Low-power RF amplifiers in ISM band and sub-GHz wireless modules
  • High-frequency signal buffering and gain stages in communication equipment
  • Oscillator and mixer stages in RF front-end circuits
  • General-purpose small-signal amplification in consumer electronics
  • Driver and level-shifting stages in industrial control and instrumentation
  • Test and measurement circuits where stable high-frequency behavior is required

Alternatives & Replacement

Depending on availability, lifecycle status, and exact circuit requirements, it may be necessary to consider alternative RF or small-signal BJTs as replacements for the 2SCR502EBTL. When selecting a substitute, closely compare maximum voltage and current ratings, transition frequency, gain, noise performance, and package style.

Recommended alternatives:

Engineering note: none of the listed alternatives are guaranteed drop-in replacements. Before committing to production, verify pinout, package footprint, polarity, maximum ratings (VCEO, IC, Ptot), RF performance (fT, gain, noise), and timing characteristics against the original 2SCR502EBTL datasheet, and perform bench validation in the target circuit.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
305+ $0.1663 $50.7215
735+ $0.1365 $100.3275
1,135+ $0.1322 $150.0470
1,565+ $0.1280 $200.3200
2,025+ $0.1237 $250.4925
2,710+ $0.1109 $300.5390
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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