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IMZ4T108 Rohm Semiconductor
Lo stesso modello può avere più lotti, le immagini sono solo a scopo di riferimento.

IMZ4T108

Parte No IMZ4T108
Produttore Rohm Semiconductor
Catalogo Transistors (BJT) - Arrays
Descrizione TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Scheda tecnica
IMZ4T108 Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
Serve Aiuto?

Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Rohm Semiconductor
Imballaggio Reel - TR
Stato Not For New Designs
Polarità del transistor NPN, PNP
Corrente massima collettore 500mA
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 32V
Vce (sat) max 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Corrente di interdizione collettore (max) 100nA (ICBO)
Guadagno tipico (hFE) (min) 120 @ 100mA, 3V
Dissipazione di potenza massima 300mW
Frequenza - Transizione 250MHz, 200MHz
Intervallo di temperatura - Esercizio 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SMT6
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 017250-IMZ4T108
Parte di uso comune? Yes
Popolarità High
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 65 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IMZ4T108 Modello CAD

Descrizione

The IMZ4T108 is a product from Rohm Semiconductor.

  • Frequency transition: 250MHz and 200MHz
  • Transistor polarity: NPN and PNP
  • Packaging: Reel-TR
  • Mounting: SMD (SMT)
  • Temperature range: 150°C (TJ)
  • Case/package: SMT6
  • Maximum current collector: 500mA
  • VCEO maximum collector-emitter breakdown voltage: 32V
  • Max Vce (sat): 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
  • Collector cut-off current(max): 100nA (ICBO)
  • Typical gain (hFE) (Min): 120 @ 100mA, 3V
  • Maximum power dissipation: 300mW

This component is common-used.

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2,755+ $0.0363 $100.0065
4,265+ $0.0352 $150.1280
5,885+ $0.0340 $200.0900
7,600+ $0.0329 $250.0400
10,170+ $0.0295 $300.0150
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