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RN1501(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Lo stesso modello può avere più lotti, le immagini sono solo a scopo di riferimento.

RN1501(TE85L,F)

Parte No RN1501(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Catalogo Transistors (BJT) - Arrays, Pre - Biased
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Scheda tecnica
RN1501(TE85L,F) Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Toshiba Semiconductor and Storage
Imballaggio Cut Reel
Polarità del transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente massima collettore 100mA
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistore - Base emettitore (R2) (Ohm) 4.7k
Guadagno tipico (hFE) (min) 30 @ 10mA, 5V
Vce (sat) max 300mV @ 250μA, 5mA
Corrente di interdizione collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Dissipazione di potenza massima 300mW
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SMV
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 101681-RN1501(TE85L,F)
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 30 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modelli ECAD Contact us to download
Scheda dati sulla sicurezza dei materiali (MSDS) Get Access
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian RN1501(TE85L,F) Modello CAD

Descrizione

The RN1501(TE85L,F) is a medium popularity product manufactured by Toshiba Semiconductor and Storage.

  • Supply and Demand Status: Balanced
  • Product Type: Transistor
  • Frequency - Transition: 250MHz
  • Transistor Polarity: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Mounting Type: SMD (SMT) technology
  • Package: SMV case
  • Current - Collector (Max): 100mA
  • VCEO Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage: 50V

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