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IRFD120PBF Real Image
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IRFD120PBF

Parte No IRFD120PBF
Produttore Vishay
Catalogo Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Scheda tecnica
IRFD120PBF Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Vishay
Imballaggio Tube/Rail
Stato Active
Polarità N-Channel
Tecnologia MOSFET
Tensione di rottura drain-source 100V
Corrente di drain continua a 25 °C 1.3A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 10V
Tensione di soglia gate-source 4V @ 250μA
Carica di gate max 16nC @ 10V
Capacità di ingresso max 360pF @ 25V
Tensione gate-source massima ±20V
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On massima a Id,Vgs 270 mOhm @ 780mA, 10V
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C to 175°C (TJ)
Montaggio Through Hole
Contenitore/involucro 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dimensione 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 017590-IRFD120PBF
Parte di uso comune? Yes
Popolarità High
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 40 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IRFD120PBF Modello CAD

Descrizione

The IRFD120PBF is a N-Channel MOSFET transistor that is manufactured by Vishay.

  • Maximum Power Dissipation: 1.3W (Ta)
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Popularity: high
  • Supply and Demand Status: balance
  • Application: commonly used in switching applications
  • Maximum Rds On @ Id,Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 10V

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
31+ $1.6508 $51.1748
65+ $1.5463 $100.5095
101+ $1.4941 $150.9041
144+ $1.3896 $200.1024
187+ $1.3374 $250.0938
234+ $1.2851 $300.7134
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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