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IRLD120PBF Real Image
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IRLD120PBF

Parte No IRLD120PBF
Produttore Vishay
Catalogo FETs - Single
Descrizione HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Vishay Siliconix
Imballaggio Tube
Polarità del transistor N-Channel
Tecnologia MOSFET
Vds - Tensione di rottura drain-source 100V
Id - Corrente di drain continua 1.3A
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 4V, 5V
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm at 780mA, 5V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 2V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 12nC at 5V
Tensione gate-source (max) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 490pF at 25V
Dissipazione di potenza (max) 1.3W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio Through Hole
Package del produttore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package del costruttore 4-DIP
Quantità confezione del costruttore 100
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 1188533-IRLD120PBF
Homepage del costruttore www.irf.com
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 31 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Campo di applicazione Used in Industrial, Power Management
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IRLD120PBF Modello CAD

Descrizione

The Vishay Siliconix IRLD120PBF is an N-channel MOSFET transistor manufactured by Vishay Siliconix.

  • Type: Through-hole MOSFET
  • Application: Industrial and Power Management
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 1.3A
  • Maximum Rds On: 270mOhm @ 780mA and 5V
  • Gate-Source Voltage(th): 2V @ 250μA
  • Gate Charge (Qg): 12nC @ 5V
  • Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

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95+ $1.0588 $100.5860
150+ $1.0258 $153.8700
205+ $0.9927 $203.5035
265+ $0.9596 $254.2940
350+ $0.8603 $301.1050
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