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BFR193E6327 Real Image
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BFR193E6327

Parte No BFR193E6327
Produttore Infineon Technologies
Catalogo RF Transistors (BJT)
Descrizione NPN Bipolar RF Transistor / Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categoria Discrete Semiconductor Products
Famiglia RF Transistors(BJT)
Costruttore Infineon Technologies
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 235088-BFR193E6327
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 52 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Nome famiglia BFR193
Data di introduzione December 11, 1996
ECCN EAR99
Paese di origine China
Senza alogeni Compliant
Data EOL stimata Not Applicable
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BFR193E6327 Modello CAD

Descrizione

BFR193E6327 - Advanced High-Frequency Transistor

The BFR193E6327 is engineered for high-frequency operations, providing superior gain and efficiency in RF applications. It is highly praised for its reliability and ease of integration into diverse telecommunication systems.

  • Applications:
    • Base station amplifiers
    • Wireless communication infrastructure
    • Frequency modulation (FM) transmitters
  • Features and Benefits:
    • Advanced low-noise operation for clearer signal transmission
    • Enhanced thermal management features
    • Superior gain compression characteristics
  • Additional Details:
    • Well-suited for compact and portable devices
    • High breakdown voltage
    • Flexible implementation options within varied RF designs

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
120+ $0.4301 $51.6120
285+ $0.3530 $100.6050
440+ $0.3419 $150.4360
605+ $0.3309 $200.1945
785+ $0.3199 $251.1215
1,050+ $0.2868 $301.1400
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