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IRF7842PBF

Parte No IRF7842PBF
Produttore Infineon Technologies
Catalogo FETs - Single
Descrizione HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
Serve Aiuto?

Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Tube
Polarità del transistor N-Channel
Tecnologia MOSFET
Vds - Tensione di rottura drain-source 40V
Id - Corrente di drain continua 18A
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm at 17A, 10V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 2.25V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 50nC at 4.5V
Tensione gate-source (max) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500pF at 20V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio SMD
Package del produttore 8-SO
Package del costruttore 8-SOIC
Quantità confezione del costruttore 3,800
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 1187378-IRF7842PBF
Homepage del costruttore www.irf.com
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 58 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IRF7842PBF Modello CAD

Descrizione

The IRF7842PBF is an N-Channel MOSFET transistor from Infineon Technologies.

  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Type: N-Channel MOSFET transistor
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 40V
  • Continuous Drain Current: 18A
  • Operating Temperature: -55°C to 150°C
  • Supply Status: Limited quantities

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Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
125+ $0.4148 $51.8500
260+ $0.3881 $100.9060
405+ $0.3747 $151.7535
575+ $0.3479 $200.0425
750+ $0.3346 $250.9500
935+ $0.3212 $300.3220
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